SK海力士于本月12日正式宣告量产极紫外光刻（EUV）技术的第四代（la）10纳米级8Gbit LPDDR4移动端DRAM产品，这是SK海力士首次采用EUV技术进行DRAM量产。
据悉，半导体行业会以字母标记每一代10纳米级DRAM产品，第一至第四代分别为“1x”、“1y”、“1z”和“1a”。LPDDR4主要用于智能手机等移动端设备，是一款低耗电产品。SK海力士相关人士表示，LPDDR5移动端DRAM产品虽已进入旗舰智能手机市场，但在普通智能手机市场LPDDR4仍占主导地位，因此选定LPDDR4为首个1a量产产品。企业预计下半年开始向智能手机厂商供货。
据了解，SK海力士曾在1y产品生产过程中部分引入EUV技术。SK海力士方面称，在稳定性得以验证的基础上，今后所有1a产品都将采用EUV技术。利用EUV技术有助于降低成本、提高收益，相比同等规格的前一代（1z）产品，1a从同样大小的晶片中获得的DRAM数量能增加约25%。SK海力士认为，在全球DRAM需求迅速上升背景下，1a DRAM能够在解决供应短缺问题上发挥重要作用。而新产品能稳定实现LPDDR4移动端DRAM最高传输速度（4266Mbps）的同时，较以往产品减少20%的耗电，充分符合减碳的企业ESG经验战略。SK海力士计划明年上半年在下一代DRAM产品DDR5中也投入1a技术。
行业预计，SK海力士计划从今年起扩大EUV技术范围，进而提升产能和价格竞争力，向行业巨头三星电子发起追击。SK海力士今年2月与全球唯一生产EUV设备的荷兰半导体设备企业ASML签订了为期5年的设备采购合同，签约规模达4.7549万亿韩元（约合人民币268.75亿元）。
在DRAM领域，三星电子率先宣布EUV技术进展，在去年3月将该技术应用于1x DRAM之后，三星电子已具备将该技术应用于其1z DRAM的能力，企业计划于今年内量产1a DRAM。与此同时，美国美光科技上月也宣告将引入EUV设备量产基于1a的产品LPDDR4x。随着行业巨头陆续加入，行业估计后续EUV技术竞争或将更为激烈。另据shih市场调查机构Omdia的数据，今年一季度全球DRAM市场中，三星电子以41.2%的份额居首，SK海力士（28.85%）、美光科技（24.3%）分列其后。
SK海力士极紫外光刻（EUV）技术第四代10纳米级（la）8Gbit LPDDR4移动端DRAM产品【图片提供 韩联社】
